특허정보

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특허등록일: 20260922
출원일자: 20240826
특허권자: 후난 화싱 리튬 일렉트릭 뉴 에너지 컴퍼니., 리미티드.
등록번호: 1030253080000
내용: 본 발명은 복합 탄소원으로 코팅된 인산망간철리튬 양극재와 그 제조 방법 및 응용에 관한 것이다. 상기 제조 방법은 다음 단계를 포함한다: (1) 망간원과 철원을 포함하는 혼합 이중금속 용액과 옥살산 용액을 공침 반응시키고, 여과, 세척, 건조 후 처리하여 옥살산망간철 전구체를 얻고; (2) 상기 옥살산망간철 전구체와 리튬원, 탄소원을 혼합한 후, 순차적으로 샌드밀링, 분무 건조, 소결 및 분쇄를 거쳐, 상기 인산망간철리튬 양극재를 얻는다. 이 방법은 공정이 간단하고, 산업화된 대규모 생산이 용이하며, 경제적 이점이 우수하고, 제조 비용이 낮은 특징을 지고, 인산망간철리튬 양극재의 충방전 비용량을 효과적으로 개선할 수 있으며, 복합 탄소원으로 인산망간철리튬 양극 재료를 코팅함으로써, 전자 전도성이 낮고 리튬 이온 확산 속도가 느린 등의 문제를 해결할 수 있다.
태그: #망간 #탄소

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